 |
 |
Еврейский мемориал |
|
|
На сайте размещены фотографии могил лиц еврейского происхождения, оставивших след
(положительный или отрицательный) в истории.
До образования государства Израиль 2000 лет евреи жили почти во всех странах мира.
Весь свой талант, знания отдавали тем странам и народам, где они жили, получая
взамен во многих случаях погромы, гонения и клевету.
Идея сайта - в кратком виде показать вклад лиц еврейского происхождения прошлых лет
в науку, культуру, политику, религию народов мира. Как в любом народе, "вклад"
некоторых лиц носил отрицательный характер.
Материалы взяты из открытых источников и представлены исключительно в ознакомительных целях.
Фотографии, в основном, взяты из Интернета и используются в НЕКОММЕРЧЕСКИХ ЦЕЛЯХ.
Файвель Костинский
|
|
| Вул Бенцион (22 мая 1903г.-9 апреля 1985г.)
|
 |
Могила Вула Бенциона.
Новодевичье кладбище, Москва.
Фото Валерия Воробьёва.
http://www.warheroes.ru/hero/hero.asp?id=7284
|
Вул Бенцион Моисеевич – учёный-физик, академик Академии наук СССР(1972). Герой Социалистического Труда. Лауреат Ленинской премии.
Вул Бенцион родился в городе Белая Церковь Киевской области Украины, в рабочей семье. В Белой Церкви будущий учёный окончил двухклассную еврейскую школу, затем учился в высшем начальном училище, Белоцерковской гимназии.
В 1920 гимназист Вул добровольцем ушёл в Красную Армию.
В 1921 Киевским губернским комитетом комсомола был мобилизован в Киевский политехнический институт, где был зачислен на электротехнический факультет.
Ещё во время работы над дипломом был зачислен в аспирантуру электротехнического факультета Киевского политехнического института. В январе 1928 окончил институт и был оставлен аспирантом на кафедре электротехники. Аспирантуру закончил в конце 1929, защитив публично диссертацию.
В начале 1930 был рекомендован Киевским окружным партийным комитетом в аспиранты Академии наук СССР. В том же году переехал в город Ленинград.
С 1932 работал в лаборатории диэлектриков в Физическом институте Академии наук СССР, под руководством академика А. Ф. Иоффе. Занимался проблемой электрической прочности твёрдых диэлектриков и газов.
С 1934 жил и работал в Москве, куда переехал институт.
|
Вул Бенцион.
http://ru.wikipedia.org/wiki/Вул,_Бенцион
|
С этого же времени возглавлял лабораторию физики диэлектриков, организованную им по предложению директора института академика С. И. Вавилова. Этой лабораторией, впоследствии преобразованной в лабораторию физики полупроводников, он бессменно руководил более полувека.
В 1935 за совокупность работ по изучению электрического пробоя диэлектриков Вулу была присуждена учёная степень доктора физико-математических наук. В конце 1938 закончил аспирантуру Академии наук и был оставлен в Академии учёным специалистом. В 1939 был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР.
Основные работы того времени посвящены физике диэлектриков. Исследовал электрическую прочность диэлектриков, открыл новую форму пробоя (последовательного) диэлектрика, изучал электрические разряды в газах в однородных и неоднородных полях при различных давлениях.
Исследовал твёрдые диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью. Открыл и исследовал сегнетоэлектрические свойства титаната бария (1944), чем положил начало созданию нового класса широко используемых диэлектриков.
В 1948 начал исследования по физике полупроводников. Активные исследования в этой области, развёрнутые в лаборатории Вула, привели к тому, что уже в 1952-1953 были созданы первые в СССР плоскостные диоды и транзисторы и первые в мире диффузионные транзисторы.
Эти работы сыграли большую роль в становлении отечественной полупроводниковой электроники.
В 1962 совместно с другими осуществил первый в СССР полупроводниковый квантовый генератор. При непосредственном участии Вула в 1963 созданы первые в СССР полупроводниковые лазеры.
Бенцион Вул разрабатывал и создавал фотоэлементы солнечных батарей, которыми оснащали первые искусственные спутники Земли и первые космические корабли.
Указом Президиума Верховного Совета СССР от 13 марта 1969 «за большие заслуги в развитии советской науки» Вулу Бенциону Моисеевичу присвоено звание Героя Социалистического Труда .
В 1964-1971 под руководством Б. М. Вула выполнен цикл исследований свойств теллурида кадмия - перспективного материала для изготовления детекторов и счётчиков радиоактивного излучения и фотопреобразователей. Ещё одним объектом интенсивных исследований в лаборатории Вула стали узкощелевые полупроводники - селенид и теллурид свинца, и твёрдые растворы на их основе.
Значительный вклад в развитие советской физики Б. М. Вул внёс, будучи заместителем академика-секретаря и членом бюро Отделения общей физики и астрономии АН СССР, а также председателем Научного совета АН СССР по проблеме "Физика и химия полупроводников", координировавшего в то время исследования в этой области. Многие его аспиранты стали известными физиками, работающими ныне в различных научных центрах страны.
Много выступал в центральной печати и в журналах, пропагандируя достижения науки.
Лауреат Государственной премии (1946, за открытие и исследование сверхвысокой диэлектрической проницаемости титаната бария), Ленинской премии (1964, за фундаментальные исследования, приведшие к созданию полупроводникового квантового генератора).
До последнего дня своей жизни продолжал научную работу.
Вул Бенцион скончался 9 апреля 1985.
Похоронен в Москве, на Новодевичьем кладбище.
|
|
Еврейский мемориал |
|
|
Менора: http://ru.wikipedia.org/wiki/Менора
|
|
|