 |
 |
Еврейский мемориал |
|
|
На сайте размещены фотографии могил лиц еврейского происхождения, оставивших след
(положительный или отрицательный) в истории.
До образования государства Израиль 2000 лет евреи жили почти во всех странах мира.
Весь свой талант, знания отдавали тем странам и народам, где они жили, получая
взамен во многих случаях погромы, гонения и клевету.
Идея сайта - в кратком виде показать вклад лиц еврейского происхождения прошлых лет
в науку, культуру, политику, религию народов мира. Как в любом народе, "вклад"
некоторых лиц носил отрицательный характер.
Материалы взяты из открытых источников и представлены исключительно в ознакомительных целях.
Фотографии, в основном, взяты из Интернета и используются в НЕКОММЕРЧЕСКИХ ЦЕЛЯХ.
Файвель Костинский
|
|
| Хайкин Моисей (5 декабря 1921г.-7 декабря 1990г.)
|
 |
Могила Хайкина Моисея.
Донское кладбище, Москва.
http://moscow-tombs.narod.ru/1990/haikin_ms.htm
|
Хайкин Моисей Семёнович - выдающийся советский физик, специалист в области электронных явлений и физики низких температур, член-корреспондент по Отделению общей физики и астрономии АН СССР (1987), главный научный сотрудник Института физических проблем АН, сын физика, основателя советской экспериментальной радиоастрономии Семёна Хайкина.
Хайкин Моисей родился в Москве. В 1947 окончил МГУ.
Научная деятельность Моисея Хайкина была посвящена исследованиям в области физики низких температур и физики металлов.
Им написано около 100 научных статей, многие из которых стали классическими, он автор открытия и ряда изобретений.
Моисей Семёнович развил новые области исследований, в первую очередь СВЧ (сверхвысокочастотную) спектроскопию металлов при низких и сверхнизких температурах.
Вся творческая деятельность М. Хайкина связана с Институтом физических проблем АН СССР, куда он пришёл еще студентом в 1945 и в котором трудился до последних дней жизни.
Он сумел блестяще раскрыть свой талант в стенах ИФП (Институт физических проблем) благодаря той творческой атмосфере, которая была создана Петром Капицей.
|
Хайкин Моисей.
http://www.ipme.nw.ru/mirrors/test/www/info/53/5344.htm
|
|
Немалую роль в жизни института играл и Моисей Семёнович, своей принципиальностью, строгостью оценок и научной активностью воздействуя на учеников и коллег.
Уже в своих первых самостоятельных работах по исследованию СВЧ сверхпроводников он получил принципиально важные результаты, вошедшие в монографии по сверхпроводимости (1950 — 1958).
На основании этих исследований М. Хайкин реализовал первое серьёзное техническое применение сверхпроводимости, создав резонаторы СВЧ и высокостабильный генератор на их основе с рекордной для своего времени стабильностью (1961).
Это достижение позволило ему создать оригинальный метод частотной модуляции для измерения поверхностного импеданса (комплексное сопротивление) металлов при низких температурах с чувствительностью (1961) и дилатометр с разрешением (прибор, измеряющий изменение размеров тела, вызванное воздействием температуры, давления, электрического и магнитного полей, ионизирующих излучений и других факторов) (1968).
М. Хайкиным были открыты магнитные поверхностные уровни (1960).
Это открытие заставило пересмотреть существовавшее ранее представление о диффузном характере отражения электронов поверхностью и принять модель зеркального отражения.
Работы по обнаружению магнитных поверхностных уровней и их исследованию были отмечены премией имени М.В. Ломоносова за 1970.
Среди других работ М. Хайкина, посвящённых исследованию металлов, - детальное изучение магнитоплазменных волн в висмуте (1963 — 1965), прецизионная дилатометрия квантовых осцилляций размеров монокристаллов олова в условиях магнитного взаимодействия и магнитного пробоя (1972 — 1974), обнаружение циклотронного резонанса на не экстремальных орбитах (1973).
М. Хайкин внёс большой вклад в физику поверхностных двумерных явлений.
М. Хайкин стал инициатором работ по сканирующей туннельной микроскопии в СССР. Он создал первый в стране сканирующий туннельный микроскоп оригинальной конструкции (1985) и применил его для измерения энергетической щели в высокотемпературных сверхпроводниках (1987).
Последняя его научная работа, высоко оценённая специалистами, — исследование излучения света при неупругом туннелировании, связанного с возбуждением поверхностных плазмонов в металлах и с переходами в спектрах молекул, помещённых на поверхности образца (1990).
Неоценим вклад М. Хайкина в развитие науки и как создателя и руководителя журнала "Приборы и техника эксперимента".
Он преподавал на физфаке МГУ и в МФТИ (Московский физико-технический институт).
Он оказал большую помощь в становлении и развитии научных исследований в восточноевропейских странах, в Индии, в Финляндии.
В 1985 М. Хайкин был избран почётным доктором университета имени Гумбольдта (Берлин).
Он был одним из тех, чьё творчество создавало высокий авторитет отечественной науки.
Скончался Хайкин Моисей 7 декабря 1990.
Похоронен на Донском кладбище Москвы.
|
|
Еврейский мемориал |
|
|
Менора: http://ru.wikipedia.org/wiki/Менора
|
|
|